据萧山发布6月25日消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）基于自研铸造法单晶生长与MOCVD外延工艺，已向头部客户交付全球第一片6英寸（100）面氧化镓同质外延片，并实现批量稳定供货，在第四代半导体材料赛道上跑出令全球瞩目的中国“镓”速度。
在长晶环节，镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合镓仁半导体的超薄衬底加工技术，将衬底出片量提升至原有3至4倍。此外，铸造法也进一步降低了贵金属铱的用量，使衬底单片成本较原来降低80%以上，显著降低下游器件厂商的材料成本。
在外延环节，镓仁半导体技术团队针对（100）面特点优化关键工艺参数，设计特色MOCVD外延工艺，成为全球首家且唯一一家商用6英寸氧化镓同质外延的供货厂商。镓仁半导体出品的6英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于10 μm（微米），膜厚方差小于1%，均匀性优异，极适合高性能器件的制备，使得器件厂商良率更有保障。
值得一提的是，镓仁半导体此次不仅实现了6英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付，更是打通“单晶—衬底—外延”的全流程稳定量产能力，建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线，批次间品质稳定可控。
此前，氧化镓同质外延片在全球范围内存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点，很难满足产业化需求。如何保证不同批次的外延片质量稳定，如何让昂贵的设备高效运转，如何控制成本等都是产业化面临的棘手难题。
镓仁半导体建立了“设备—晶体—衬底—外延”的完整自主产业链，不仅实现了关键环节100%自主可控，还能将实验室的突破快速转化为产线上的稳定批量供货。目前，镓仁半导体已成为全球首家实现6英寸氧化镓同质外延片商业化供货的企业，海外多家企业和科研机构已陆续下单，多家合作客户已进行了长期稳定采购。
可以说，此次6英寸（100）面氧化镓同质外延片实现批量稳定供货，意味着我国在氧化镓这一第四代半导体关键材料领域，具备了从单晶生长到外延量产的完整产业化研发制造能力。至此，氧化镓不再是束之高阁的“实验室样品”，而是蜕变为成本可控、供应稳定的可量产商品。
随着新能源汽车、智能电网、光伏储能、轨道交通、国防雷达、AI算力中心、商业航天等应用对高效功率器件需求持续增长，氧化镓产业链正在加速完善。镓仁半导体此次在大尺寸衬底与同质外延领域的突破，正有力推动第四代半导体材料从前沿技术研发向实质性的产业化应用纵深迈进。
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